i-FOSATM 工艺特色
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结合现有半导体制程工艺设备和后道载板制程工艺装备的优势,打造半加成法扇出封装先进的线路创成工艺(i-FOSATM),建设国内首条高性价比板级扇出型封装研发线。
iFOSA™工艺具备如下特点:
工艺先进
成本合理
供应链安全
1.国内首条大板级扇出封装线
2.100%的自主知识产权
3. 半导体和载板工艺相结合
4. 最大尺寸615mm*625mm
工艺路线能力
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基于佛智芯示范线,打通Chip-First、Chip-Last、3D/SiP核心工艺。
OUJINGL
技术研发能力
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首创半加成法扇出封装先进的线路创成工艺(i-FOSATM),建成国内首条板级扇出型封装示范线,形成针对同一类型产品的系统化成套技术与解决方案。
专利:
①一种提高FOPLP芯片线路良率的封装方法,ZL 201910744895.2,2019(发明授权)
②一种防止侧蚀的精细线路的制作方法,ZL 201910737646.0,2019(发明授权)
OUJINGL
核心技术① — 玻璃通孔刻蚀
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玻璃通孔-技术特点:
高深宽比玻璃微通孔加工技术
多尺度密集孔一次成型,锥度可控
不同型号玻璃通用
技术能力:
孔径:>10 ±2μm
玻璃厚度: 100μm - 700μm
通孔间距:>30μm 锥度:2.5°-15°(可控)
OUJINGL
核心技术② — 玻璃盲孔刻蚀
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玻璃盲孔-技术特点:
高深宽比玻璃微盲孔加工技术
多尺度密集孔一次成型,锥度可控
不同型号玻璃通用
技术能力:
孔径:≥10 ±2μm
盲孔深度:>200 ±5μm
盲孔间距:>30 μm
纵深比 >1 : 20
OUJINGL
核心技术③ — 玻璃通孔金属化
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玻璃通孔金属化-技术特点:
高深宽比玻璃微孔金属化
不同型号玻璃通用
技术能力:
填充孔径:≥10 μm
玻璃厚度:100-700 μm
金属化形式:全铜填充(小孔)、侧壁金属化(大孔)
OUJINGL
核心技术③ — 玻璃通孔金属化
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针对大深径比、小深径比玻璃通孔,已开发出干法\湿法两种工艺实现通孔金属化
OUJINGL
核心技术④ — 玻璃表面金属化
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技术能力:
金属化结合强度:>10N
L/S:15/15 μm
面铜厚度:20 μm
— 公司工艺服务内容 —
工艺服务内容:提供板级扇出型封装、三维异构SIP集成、晶圆凸点、高密度封装基板服务
产品应用:可实现功率器件(IGBT&MOSFET)、高频扇出芯片(AiP)、MCM产品(NFC et. all)产品场景端应用
200台
出口销售数量
1989年
企业成立日期
200台
出口销售数量
1989年
企业成立日期